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龙图腾网获悉上海乐瓦微电子科技有限公司申请的专利一种MOS器件的建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120974792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511521390.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种MOS器件的建模方法是由邹兆一;李学会设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOS器件的建模方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种MOS器件的建模方法，包括将所述MOS器件的几何结构离散化为三维元胞网格，并为所述三维元胞网格中的每个元胞定义包含多物理场信息的状态向量，其中，所述状态向量至少包括：用于表征电学特性的载流子密度和局域电势，用于表征量子效应的载流子平均能量，用于表征热效应的局域温度，用于表征可靠性效应的缺陷状态；并且，为模拟器件的工艺变异性，在定义所述状态向量时，对所述三维元胞网格中每个元胞的初始缺陷状态进行随机化设置。通过设置元学习规则层和基础规则层构成的双层自适应演化规则体系，元学习规则层能够根据每个元胞邻域内的局域宏观状态，动态调整基础规则层所使用的基础规则参数集。

本发明授权一种MOS器件的建模方法在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的建模方法，其特征在于，包括： S1、将所述MOS器件的几何结构离散化为三维元胞网格，并为所述三维元胞网格中的每个元胞定义包含多物理场信息的状态向量， 其中，所述状态向量至少包括：用于表征电学特性的载流子密度和局域电势，用于表征量子效应的载流子平均能量，用于表征热效应的局域温度，用于表征可靠性效应的缺陷状态；并且，为模拟器件的工艺变异性，在定义所述状态向量时，对所述三维元胞网格中每个元胞的初始缺陷状态进行随机化设置； S2、通过在离散时间步内迭代更新每个元胞的所述状态向量来模拟器件的动态行为，其中，所述迭代更新通过双层自适应演化规则体系实现，该双层自适应演化规则体系包括元学习规则层和基础规则层： 利用元学习规则层，根据每个元胞的邻域内的局域宏观状态，动态调整该元胞所对应的基础规则层中的一组基础规则参数集； 利用基础规则层，使用经所述元学习规则层调整后的所述基础规则参数集，计算所述状态向量在离散时间上的演化； S3、在所述迭代更新之后，根据所获得的元胞状态向量，提取所述MOS器件的宏观电学特性。

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