中国科学技术大学许中广获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511476984.5，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元是由许中广;谷圣敏;朱晨昕设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FeRAM2T2C结构的存内计算单元，属于存内计算领域。本文设计了一种基于FeRAM2T2C结构的存内计算单元，包括MOS管M1‑MOS管M10、电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2、灵敏放大器SA。本发明利用FeRAM2T2C结构两个cell中存储相反信息的特性，通过开关MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10不同的开启组合，实现“与”、“或”和“非”三种基本的布尔逻辑运算,实现存储和计算的深度融合，有望显著提升智能芯片的处理速度并降低计算功耗。
本发明授权一种基于FeRAM 2T2C结构的存内计算单元在权利要求书中公布了：1.一种基于FeRAM2T2C结构的存内计算单元，其特征在于，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2、灵敏放大器SA； 所述的MOS管M1的栅极、MOS管M2的栅极和字线WL1连接，所述MOS管M3的栅极、MOS管M4的栅极和字线WL2连接； 所述电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2一端和板线PL连接，所述电容C1、电容CN1、电容C2、电容CN2的另一端分别通过MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4和位线BL、BLN连接，位线BL、BLN分别和灵敏放大器SA的两端连接； 所述MOS管M5的源极、MOS管M6的源极和灵敏放大器SA的一侧输入端连接； 所述MOS管M7的源极、MOS管M8的源极和灵敏放大器SA的另一侧输入端连接。
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