合肥晶合集成电路股份有限公司马亚强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511492160.7，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体结构的制作方法是由马亚强;罗钦贤设计研发完成，并于2025-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；将沉积无定形碳层后的衬底放入等离子腔室内，在预设温度和预设功率下，通入氢气和氩气预设时间，对无定形碳层进行等离子处理，形成疏水层，疏水层包括‑CH3基团；对疏水层进行清洗；在疏水层上形成抗反射层；在抗反射层形成图案化光刻胶层，以图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层、疏水层、无定形碳层和待刻蚀层。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够在无定形碳层上形成疏水层，避免清洗过程中在无定形碳层表面上残留水分，提高芯片的性能以及良率。
本发明授权一种半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上形成待刻蚀层； 在所述待刻蚀层上形成无定形碳层； 将沉积所述无定形碳层后的所述衬底放入等离子腔室内，在预设温度和预设功率下，通入氢气和氩气预设时间，对所述无定形碳层进行等离子处理，形成疏水层，所述疏水层包括-CH3基团； 对所述疏水层进行清洗； 在所述疏水层上形成抗反射层；以及 在所述抗反射层形成图案化光刻胶层，以所述图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述抗反射层、所述疏水层、所述无定形碳层和所述待刻蚀层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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