台湾积体电路制造股份有限公司林禹彤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223730190U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422793072.8，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置是由林禹彤;许育玮;冯姿芸;黄奕凤;吴志毅设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括基板上方的第一二维半导体层、与第一二维半导体的第一区接触的第一源极漏极接触结构、及与第一二维半导体层的第二区接触的第二源极漏极接触结构，第一二维半导体层的第二区与第一区间隔开。第一源极漏极接触结构包括与第一二维半导体层的第一区接触的锑层、及锑层上方的铂层。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一n型场效晶体管，包含一第一二维半导体层及在该第一二维半导体层的相对侧面上的多个第一源极漏极接触结构；及 一p型场效晶体管，包含一第二二维半导体层及在该第二二维半导体层的相对侧面上的多个第二源极漏极接触结构， 其中所述多个第一源极漏极接触结构中的各者包含一第一半金属层及在该第一半金属层上方的一第二半金属层，且所述多个第二源极漏极接触结构中的各者包含一第三半金属层及在该第三半金属层上方的一第四半金属层，其中该n型场效晶体管中该第一半金属层与该第二半金属层的一厚度比大于该p型场效晶体管中该第三半金属层与该第四半金属层的一厚度比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励