广东气派科技有限公司杨建伟获国家专利权
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龙图腾网获悉广东气派科技有限公司申请的专利解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911136161.2，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构是由杨建伟设计研发完成，并于2019-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种解决5GGaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上。通过调整焊接支撑台上表面与引线框基岛的上表面之间的高度差，可以使外溢的烧结银胶即能反包芯片边缘，形成爬胶，同时又能避免烧结银胶爬胶过高；所述支撑凸点能有效的帮助将烧结银胶中的空气排挤出去，能使焊接层空洞率减少到2%以内，支撑凸点能保证芯片放置时的平整，避免出现芯片倾斜，能提升产品的焊接可靠性和产品的散热性。
本发明授权解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构在权利要求书中公布了：1.一种解决5GGaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构，其特征在于，包括芯片和引线框基岛，所述引线框基岛上表面设有一环形凹槽，所述环形凹槽内侧形成焊接支撑台，所述焊接支撑台的形状和面积与芯片相适配，所述焊接支撑台上表面低于引线框基岛的上表面，所述焊接支撑台上表面还阵列设有多个高度相同的支撑凸点，所述支撑凸点的高度为30-50μm，所述芯片通过烧结银胶焊接在焊接支撑台上，烧结银胶的厚度等于或稍大于支撑凸点的高度； B的值在13H-12H之间，其中B为环形凹槽深度，H为芯片厚度； 焊接支撑台的高度为环形凹槽深度的12-23之间； 所述支撑凸点的直径尺寸为30-60μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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