三星电子株式会社高永珉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010805333.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法是由高永珉;金钟旭;郑载琥;崔铜成设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法，其包括在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构。第一图案结构包括堆叠图案和覆盖堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层。包括SiOCH材料的第一能流动材料层形成在第一间隔体层上以填充第一开口并覆盖第一图案结构的上部部分。对第一能流动材料层进行包括将气态氨催化剂供应到第一能流动材料层中的第一固化工艺以形成包括水的第一固化材料层。对第一固化材料层进行第二固化工艺以形成第一低k介电材料层。将第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k介电材料层。
本发明授权用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.用于制造半导体器件的方法，包括： 在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构，所述第一图案结构包括堆叠图案和覆盖所述堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层； 在所述第一间隔体层上形成第一能流动材料层以填充所述第一开口并覆盖所述第一图案结构的上部部分，所述第一能流动材料层包括SiOCH材料； 对所述第一能流动材料层进行第一固化工艺以形成包括水H2O的第一固化材料层，所述进行第一固化工艺包括将气态氨NH3催化剂供应到所述第一能流动材料层中，所述第一固化工艺被配置为在所述第一能流动材料层中产生水H2O的同时使所述第一能流动材料层固化； 对所述第一固化材料层进行第二固化工艺以形成具有比二氧化硅的介电常数低的介电常数的第一低k介电材料层，所述第二固化工艺被配置为从所述第一固化材料层向外蒸发在所述第一固化材料层中的水H2O；和 使用第一化学机械抛光工艺将所述第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k介电材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励