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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530947B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010579908.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由成慧真;朴志孰;崔盛皓设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区、外围区以及在存储器单元区与外围区之间的坝区，存储器单元区根据俯视图具有矩形形状，并且存储器单元区具有限定在其中的多个有源区；多个位线结构，在存储器单元区中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，并且均包括位线；多个掩埋接触件，填充基底上的所述多个位线结构之间的空间的下部；多个接合垫，位于所述多个掩埋接触件上；以及坝结构，包括在坝区中的第一坝结构和第二坝结构，并且与所述多个接合垫位于同一水平处。

本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 基底，具有存储器单元区、外围区以及在存储器单元区与外围区之间的坝区，存储器单元区根据俯视图具有矩形形状，并且存储器单元区具有限定在其中的多个有源区； 多个位线结构，在存储器单元区中在基底上延伸以在第一水平方向上彼此平行，每个位线结构包括位线； 多个掩埋接触件，填充基底上的所述多个位线结构之间的空间的下部； 多个接合垫，位于所述多个掩埋接触件上；以及 坝结构，包括在坝区中的第一坝结构和第二坝结构，并且与所述多个接合垫位于同一水平处， 其中，第一坝结构具有在第一水平方向上延伸的线形状， 其中，第二坝结构与第一坝结构分离并且具有在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸的线形状，第一坝结构与第二坝结构之间具有第一坝开口， 其中，所述多个掩埋接触件包括多个第一虚设掩埋接触件和多个第二虚设掩埋接触件， 其中，所述多个第一虚设掩埋接触件中的每个第一虚设掩埋接触件具有与第一坝结构的底表面接触的顶表面， 其中，所述多个第二虚设掩埋接触件中的每个第二虚设掩埋接触件具有与第二坝结构的底表面接触的顶表面， 其中，所述多个第一虚设掩埋接触件与所述多个有源区中相应的有源区电分离，并且 其中，所述多个第二虚设掩埋接触件与所述多个有源区中相应的有源区接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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