台湾积体电路制造股份有限公司黄侦晃获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011193393.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由黄侦晃;谢明哲;林益安;魏安祺;陈嘉仁设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括在第一电介质层中形成开口。位于第一电介质层下方的区域暴露于开口。方法还包括沉积延伸到开口中的虚设硅层，以及沉积隔离层。隔离层和虚设层在开口中分别包括虚设硅环和隔离环。利用金属区域填充开口，并且金属区域被隔离环环绕。蚀刻虚设硅层以形成空气间隔件。形成第二电介质层以密封空气间隔件。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 形成栅极间隔件； 在所述栅极间隔件的侧壁之上形成第一电介质层； 在所述第一电介质层中形成开口，其中，位于所述第一电介质层下方的下方区域暴露于所述开口，并且其中，在形成所述开口之后，所述第一电介质层的一部分将所述开口与所述栅极间隔件分隔开； 沉积延伸到所述开口中的虚设硅层； 沉积隔离层，其中，所述隔离层和所述虚设硅层在所述开口中分别包括虚设硅环和隔离环； 对所述虚设硅层和所述隔离层执行各向异性蚀刻工艺，以向所述开口露出所述下方区域； 形成延伸到所述开口中的含金属帽盖层，其中，所述含金属帽盖层的一部分接触所述虚设硅层的靠近所述下方区域的下部； 执行退火工艺以使所述含金属帽盖层与所述下方区域进行反应，其中，所述下方区域包括含硅半导体材料； 利用金属区域填充所述开口，其中，所述金属区域被所述隔离环环绕； 蚀刻所述虚设硅层，以形成空气间隔件，其中，蚀刻所述虚设硅层还使得所述下方区域被蚀刻，并且所述空气间隔件向下延伸到所述下方区域中；以及 形成第二电介质层，以密封所述空气间隔件， 其中，蚀刻所述虚设硅层是使用包括氢H2和三氟化氮NF3的工艺气体来执行的，并且其中，H2的第一流速与NF3的第二流速的比率高于41。
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