意法半导体(R&D)有限公司F·卡克林获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(R&D)有限公司申请的专利使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011331613.5，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置是由F·卡克林设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置。金属氧化物半导体MOS晶体管具有源极端子、漏极端子、栅极端子和本体端子。源极端子被连接以接收电源电压，并且本体端子被连接以接收反向本体偏置电压。光伏电路具有被连接到MOS晶体管的源极端子的第一端子以及被连接到MOS晶体管的本体端子的第二端子。光伏电路将从环境接收的光子转换以生成反向本体偏置电压。
本发明授权使用光伏源极的晶体管的反向本体偏置在权利要求书中公布了：1.一种电路，包括： 金属氧化物半导体MOS晶体管，具有源极端子、漏极端子、栅极端子和本体端子； 其中所述源极端子被连接以接收电源电压； 光伏电路，具有被连接到所述MOS晶体管的所述源极端子的第一端子以及被连接到所述MOS晶体管的所述本体端子的第二端子，其中所述光伏电路转换接收到的光子以生成被施加到所述MOS晶体管的所述本体端子的反向本体偏置电压；以及 成像电路，所述成像电路包括像素的阵列，其中所述阵列的第一像素形成光电检测器的阵列，并且其中所述阵列的第二像素形成所述光伏电路。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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