日东电工株式会社丰田英志获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110028151.8，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法是由丰田英志;土生刚志;市川智昭;砂原肇设计研发完成，并于2015-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于提供为低粘度、且能高填充无机填充剂的电子器件密封用片。本发明的解决手段是一种电子器件密封用片，其使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂，在69～86体积％的范围内含有无机填充剂，最低粘度在10～1000000Pa·s的范围内。
本发明授权电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件密封用片，其特征在于， 使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂， 在69体积%~86体积%的范围内含有无机填充剂，所述无机填充剂的平均粒径为0.5μm~20μm，所述无机填充剂在通过激光衍射散射法测定的粒度分布中具有2个峰，所述2个峰中，粒径大的一侧的峰处于3μm~30μm的范围内，粒径小的一侧的峰处于0.1μm~1μm的范围内，所述无机填充剂用所述硅烷偶联剂预先进行了表面处理，所述无机填充剂利用相对于所述无机填充剂100重量份为0.5重量份~1重量份的所述硅烷偶联剂预先进行了表面处理， 最低粘度在10Pa•s~1000000Pa•s的范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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