安塔利斯M·德鲁阿尔获国家专利权
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龙图腾网获悉安塔利斯申请的专利SOT MRAM单元和包括多个SOT MRAM单元的阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113160863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011517396.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权SOT MRAM单元和包括多个SOT MRAM单元的阵列是由M·德鲁阿尔;J·罗切设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本SOT MRAM单元和包括多个SOT MRAM单元的阵列在说明书摘要公布了：一种SOT‑MRAM单元100，包括至少一个磁性隧道结MTJ20，磁性隧道结MTJ20包括钉扎铁磁层21和自由铁磁层23之间的隧道势垒层22；SOT线30，其大体上平行于层21‑23的平面延伸，并且接触所述至少一个MTJ20的第一端；至少第一源线SL1，其连接到SOT线30的一端；至少第一位线BL1和第二位线BL2，其中所述SOT‑MRAM单元包括一个MTJ20，每个位线连接到MTJ20的另一端；或者其中所述SOT‑MRAM单元包括两个MTJ20，每个MTJ连接到第一位线BL1和第二位线BL2中的一个。
本发明授权SOT MRAM单元和包括多个SOT MRAM单元的阵列在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道转矩SOT-磁性随机存取存储器MRAM单元100，包括： 至少一个磁性隧道结MTJ20，其包括钉扎铁磁层21和自由铁磁层23之间的隧道势垒层22； SOT线30，其平行于层21-23的平面延伸，并且接触所述至少一个MTJ20的第一端； 至少第一源线SL1，其连接到SOT线30的一端； 至少第一位线BL1和第二位线BL2， 其特征在于，所述SOT-MRAM单元100包括至少一个MTJ20，每个位线BL1、BL2连接到所述至少一个MTJ20的另一端；其中所述第一位线BL1经由第一晶体管40连接所述至少一个MTJ20，以及所述第二位线BL2经由第二晶体管41连接所述至少一个MTJ20，并且其中所述第二位线BL2进一步经由第三晶体管42连接SOT线30的另一端， 或者在于，所述SOT-MRAM单元100包括两个MTJ20，所述两个MTJ20彼此连接，并且每个MTJ20连接到第一位线BL1和第二位线BL2中的一个，并且其中所述第一位线BL1进一步经由第四晶体管43连接到SOT线30的另一端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安塔利斯，其通讯地址为：法国梅兰；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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