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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种低开启电压的超结RB-IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111042571.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种低开启电压的超结RB-IGBT器件是由吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低开启电压的超结RB-IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。根据本发明，结构简单合理，器件背面通过P型埋层设计可将超结IGBT器件的开启电压降至0.1V，大大降低了器件的导通电压，从而降低了器件的导通损耗。

本发明授权一种低开启电压的超结RB-IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种低开启电压的超结RB-IGBT器件，其特征在于，包括： 金属化集电极层1； 重掺杂多晶硅31，所述重掺杂多晶硅31设置于金属化集电极层1的上方； 氧化层32，所述氧化层32设置于重掺杂多晶硅31的上方； P型集电区2，所述P型集电区2关于金属化集电极层1对称设置有两个P型集电区2，P型集电区2与金属化集电极层1相邻设置； 每个所述P型集电区2相邻设置有N型重掺杂区3，每个N型重掺杂区3之间间隔设置； 每个所述P型集电区2与N型重掺杂区3的上方设置有P型埋层4； 所述P型埋层4相邻设置有N型漂移区5，所述N型漂移区5中对称设置有P柱6；所述N型漂移区5的上方设置有N型外延层7，所述N型外延层7中通过反应离子刻蚀形成有槽栅8；所述槽栅8表面通过热生长形成有栅氧化层9，且槽栅8内淀积有重掺杂多晶硅形成的栅极10，位于槽栅8的两侧通过自对准工艺离子注入高温退火形成的P型体区11； P型埋层4的掺杂浓度和两个P型埋层4之间的间距经过设计使得在未加外部电压时，两个P型埋层4之间的区域已完全耗尽。

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