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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111098226.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法是由吴玉舟;刘铁川;李欣;李菲;禹久赢设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结RB‑IGBT器件结构及其制造方法，包括：金属化集电极层；P型集电区，所述P型集电区位于所述金属化集电极层的上方；第一N型外延层，所述第一N型外延层位于P型集电区的上方；第二N型外延层，所述第二N型外延层位于第一N型外延层的上方；所述第一N型外延层中通过高能离子注入形成有P型埋层，且第一N型外延层中与P型埋层间隔设置有P柱，所述P柱通过深槽刻蚀和回填工艺形成。根据本发明，具有承受反向耐压的能力，通过P型集电区设计可采取多种优化结构，提升超结RB‑IGBT器件的电学性能和可靠性。

本发明授权一种超结RB-IGBT器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结RB-IGBT器件结构的制造方法，该超结RB-IGBT器件结构包括：金属化集电极层1； P型集电区2，所述P型集电区2位于所述金属化集电极层1的上方； 第一N型外延层3，所述第一N型外延层3位于P型集电区2的上方； 第二N型外延层4，所述第二N型外延层4位于第一N型外延层3的上方； 所述第一N型外延层3中通过高能离子注入形成有P型埋层102，且第一N型外延层3中与P型埋层102间隔设置有P柱101，所述P柱101通过深槽刻蚀和回填工艺形成；其特征在于，该制造方法包括： S1、通过晶片采用外延片形成P型集电区2与第一N型外延层3； S2、通过反应离子刻蚀工艺在第一N型外延层3中形成深槽； S3、利用硬掩模作为阻挡层，采用高能离子注入在第一N型外延层3中形成P型掺杂层； S4、采用回填工艺在第一N型外延层3中形成超结结构P柱101； S5、通过外延形成第二N型外延层4，且第二N型外延层4的电阻率大于第一N型外延层3； S6、在第二N型外延层4中通过反应离子刻蚀形成槽栅5； S7、在槽栅5的表面通过干法氧化方式热生长栅氧化层6； S8、在槽栅5内淀积重掺杂多晶硅7并反刻形成栅极； S9、在第二N型外延层4的上方通过自对准工艺和离子注入及高温推阱形成P型体区8，同时P型掺杂层产生扩散最终形成P型埋层102； S10、在P型体区8通过光刻注入形成发射区9； S11、位于槽栅5上方淀积硼磷硅玻璃10，高温回流，进行接触孔光刻，并刻蚀3000-5000A厚度的硅，并淀积上表面金属形成发射极11； S12、将晶片翻转后进行减薄，并淀积金属层形成集电极1。

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