华南师范大学侯志鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利磁性斯格明子写入装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010630619.6，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权磁性斯格明子写入装置及其形成方法是由侯志鹏;卫智健;徐姣;王亚栋;张溪超;周艳设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性斯格明子写入装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磁性斯格明子写入装置及其形成方法，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。
本发明授权磁性斯格明子写入装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性斯格明子写入装置，其特征在于，包括： 磁性薄膜和柔性衬底，所述磁性薄膜生长在所述柔性衬底上； 硬质结构，所述硬质结构包括弧面、导磁部和通孔，所述导磁部设于所述硬质结构的与所述弧面相背的一面并伸入所述通孔，所述磁性薄膜设于所述弧面上从而随所述弧面弯曲； 写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；所述写入单元向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子的区域是所述磁性薄膜区域对准所述通孔的区域； 应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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