台湾积体电路制造股份有限公司陈浚凯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于减少线弯曲的金属硬掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110845263.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于减少线弯曲的金属硬掩模是由陈浚凯;陈哲明;李资良设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于减少线弯曲的金属硬掩模在说明书摘要公布了：本公开涉及用于减少线弯曲的金属硬掩模。一种方法包括：在电介质层之上形成包含金属的硬掩模层，其中，该包含金属的硬掩模层具有大于约400MPa的杨氏模量和大于约600MPa的拉伸应力；对该包含金属的硬掩模层进行图案化，以在该包含金属的硬掩模层中形成开口；以及使用包含金属的硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻电介质层。该开口延伸到电介质层中。使用导电材料填充该开口，以形成导电特征。然后去除该包含金属的硬掩模层。
本发明授权用于减少线弯曲的金属硬掩模在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 在电介质层之上形成包含金属的硬掩模层； 在所述包含金属的硬掩模层之上形成多个芯轴； 在所述多个芯轴的侧壁上形成多个间隔件； 在第一图案化工艺中，对所述包含金属的硬掩模层进行图案化，以在所述包含金属的硬掩模层中形成第一开口，其中，所述第一开口位于所述多个间隔件中的两个间隔件之间的空间正下方，并且其中，所述第一开口从所述多个间隔件的顶表面延伸至位于所述包含金属的硬掩模层下方的第一含非金属的层的第二顶表面，并且所述第一开口止于所述第一含非金属的层的第二顶表面上； 在第二图案化工艺中，去除所述多个芯轴中的一个芯轴，以形成延伸至所述包含金属的硬掩模层中的第二开口，其中，所述第二开口止于所述第二顶表面上； 在形成止于所述第二顶表面上的所述第一开口和所述第二开口之后，去除所述多个芯轴和所述多个间隔件的剩余部分； 使用所述包含金属的硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述电介质层，其中，所述第一开口和所述第二开口两者延伸至所述电介质层中； 用导电材料填充所述第一开口，以形成导电特征；以及 去除所述包含金属的硬掩模层。
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