爱思开海力士有限公司卢侑炫获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利垂直半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110361124.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权垂直半导体装置及其制造方法是由卢侑炫设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接至互连件，该第一牺牲焊盘贯穿源极结构并且与第一接触插塞间隔开；形成覆盖第一牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构的上结构；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿上结构并接触第一接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿上结构以接触第一牺牲焊盘并且与第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。
本发明授权垂直半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤： 在具有互连件的下结构上方形成源极结构； 形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿所述源极结构以联接至所述互连件，该第一牺牲焊盘贯穿所述源极结构并且与所述第一接触插塞间隔开； 形成覆盖所述第一牺牲焊盘、所述第一接触插塞和所述源极结构的上结构； 形成贯穿所述上结构并与所述第一接触插塞接触的第二接触插塞； 形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿所述上结构以与所述第一牺牲焊盘接触并且与所述第二接触插塞间隔开；以及 用介电支撑件代替所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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