矽磐微电子(重庆)有限公司陈瑞田获国家专利权
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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利用于等离子清洗设备的压框结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114121712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010897382.8,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权用于等离子清洗设备的压框结构是由陈瑞田;杨须闯设计研发完成,并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于等离子清洗设备的压框结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种用于等离子清洗设备的压框结构。所述等离子清洗设备包括相对设置的上电极和下电极,所述等离子清洗设备可清洗半导体封装结构;所述压框结构用于压在位于所述下电极上的半导体封装结构的边缘上。所述压框结构设有开孔,所述开孔用于暴露所述半导体封装结构的中心区域;所述压框结构包括金属板部及绝缘壳体,所述绝缘壳体包覆所述金属板部。
本发明授权用于等离子清洗设备的压框结构在权利要求书中公布了:1.一种用于等离子清洗设备的压框结构,其特征在于,所述等离子清洗设备包括相对设置的上电极和下电极,所述等离子清洗设备可清洗半导体封装结构;所述压框结构用于压在位于所述下电极上的半导体封装结构的边缘上; 所述压框结构设有开孔,所述开孔用于暴露所述半导体封装结构的中心区域;所述压框结构包括金属板部及绝缘壳体,所述绝缘壳体包覆所述金属板部; 所述金属板部与所述绝缘壳体之间设置有粘结层;所述绝缘壳体由多个绝缘板部组装而成;各所述绝缘板部的至少一端设有拼接结构,所述拼接结构包括相适配的凸出部或凹陷部;所述绝缘板部设有所述凸出部的端部与相邻的所述绝缘板部设有所述凹陷部的端部通过所述凸出部与所述凹陷部的配合拼接。
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