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龙图腾网获悉北京烁科精微电子装备有限公司申请的专利一种晶圆的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210029236.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种晶圆的处理方法是由岳爽;唐强;蒋锡兵设计研发完成，并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆的处理方法，包括：提供化学机械研磨后的晶圆；对所述晶圆进行第一颗粒物清洗，所述第一颗粒物清洗采用的清洗液包括氢氟酸溶液、盐酸溶液、硫酸溶液或柠檬酸溶液；对所述晶圆进行第二颗粒物清洗，所述第二颗粒物清洗采用的清洗液包括氨水溶液和过氧化氢溶液的混合溶液。本发明通过第一颗粒物清洗降低晶圆表面的金属浓度，可以改善第二颗粒物清洗的清洗效果，减少清洗后晶圆表面残留的污染颗粒，提高晶圆的良率。

本发明授权一种晶圆的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括： 提供化学机械研磨后的晶圆；所述晶圆为硅晶圆； 对所述晶圆进行第一颗粒物清洗，所述第一颗粒物清洗采用的清洗液包括氢氟酸溶液；所述第一颗粒物清洗采用的清洗液还包括过氧化氢溶液；过氧化氢溶液适于与氢氟酸溶液配合在晶圆表面形成二氧化硅层，再利用氢氟酸溶液腐蚀掉二氧化硅层的同时去除表面残留颗粒；所述第一颗粒物清洗的过程中的氢氟酸溶液的浓度为4.5%~5.5%，所述第一颗粒物清洗的过程中的过氧化氢溶液的浓度为15%~20%；所述第一颗粒物清洗的时间为20秒~30秒；所述第一颗粒物清洗采用的清洗液的流量为100mlmin~200mlmin； 对所述晶圆进行第二颗粒物清洗，所述第二颗粒物清洗采用的清洗液包括氨水溶液和过氧化氢溶液的混合溶液；过氧化氢溶液适于在晶圆表面形成氧化层，氨水溶液适于对氧化层进行微刻蚀，去除嵌入晶圆表面的污染颗粒； 对所述晶圆进行第二颗粒物清洗之后，还包括：对所述晶圆进行第一刷洗，所述第一刷洗采用的清洗液包括氢氟酸溶液；所述氢氟酸溶液适于将第二颗粒物清洗中形成的氧化层完全除去；所述第一刷洗的过程中的氢氟酸溶液的浓度为4.5%~5.5%；所述第一刷洗的时间为15秒~25秒； 对所述晶圆进行第一刷洗之后，还包括：对所述晶圆进行第二刷洗，所述第二刷洗采用的清洗液包括氨水溶液；所述氨水溶液适于中和第一刷洗的过程中残留的氢氟酸溶液；所述第二刷洗的过程中的氨水溶液的浓度为12%~22%；所述第二刷洗的时间为25秒~35秒。

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