无锡兴华衡辉科技有限公司张堂获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡兴华衡辉科技有限公司申请的专利一种半导体芯片划片用粘接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210405287.0，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体芯片划片用粘接方法是由张堂设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片划片用粘接方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体芯片划片用粘接方法，其可满足划片时芯片的稳固粘接需求，同时可防止芯片崩边，可防止芯片污染，该方法包括：在芯片的正面涂覆第一光刻胶，将第一光刻胶加热固化，在芯片的背面涂覆第二光刻胶，通过第二光刻胶将芯片的背面与硅衬底的上表面粘接，对芯片与硅衬底进行抽真空处理，对芯片与硅衬底进行加热固化，将硅衬底的下表面粘接于聚酯膜，对芯片、硅衬底及聚酯膜进行划片，使芯片及硅衬底与聚酯膜分离，使芯片与硅衬底分离，对芯片进行浸泡，去除残余的第一光刻胶、第二光刻胶。
本发明授权一种半导体芯片划片用粘接方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，该方法包括：S1、在芯片的正面涂覆第一光刻胶； S2、将所述第一光刻胶加热固化； S3、在所述芯片的背面涂覆第二光刻胶，通过所述第二光刻胶将所述芯片的背面与硅衬底的上表面粘接； S4、对经步骤S2、S3处理后的所述芯片与所述硅衬底进行抽真空处理； S5、对经步骤S4处理后的所述芯片与所述硅衬底进行加热固化； S6、将所述硅衬底的下表面粘接于聚酯膜；所述聚酯膜为UV膜或蓝膜，UV膜或蓝膜的面积大于所述硅衬底的下表面面积，将所述硅衬底贴附在所述UV膜或蓝膜上时，所述UV膜或蓝膜的四周边沿凸出于所述硅衬底的四周边沿； S7、对经步骤S6处理后的所述芯片、硅衬底及所述聚酯膜进行划片； S8、划片后，使所述芯片及所述硅衬底与所述聚酯膜分离； S9、使所述芯片与所述硅衬底分离； S10、对经步骤S9处理后的所述芯片进行浸泡，去除残余的所述第一光刻胶、第二光刻胶。
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