买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉伊文萨思粘合技术公司申请的专利微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210796791.8，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构是由G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐设计研发完成，并于2019-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构在说明书摘要公布了：本公开涉及微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构。提供用于在微电子学中在低温和较短退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。

本发明授权微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构在权利要求书中公布了：1.一种键合结构，包括: 第一微电子器件，包括: 半导体层； 所述半导体层之上的第一电介质结构，所述第一电介质结构的上表面形成所述第一微电子器件的第一键合表面的一部分； 第一掩埋导电层，所述第一掩埋导电层嵌入在所述半导体层之上的所述第一电介质结构中，所述第一掩埋导电层具有第一水平尺寸和第一厚度； 第二掩埋导电层，所述第二掩埋导电层嵌入在所述第一掩埋导电层之上的所述第一电介质结构中并且电连接到所述第一掩埋导电层，所述第二掩埋导电层具有小于所述第一水平尺寸的第二水平尺寸和大于所述第二水平尺寸的第二厚度；和 第三导电层，所述第三导电层包括在所述第二掩埋导电层之上并且电连接到所述第二掩埋导电层的接触焊盘，所述键合表面包括所述接触焊盘的上表面，所述第三导电层具有大于所述第二水平尺寸并且小于所述第一水平尺寸的第三水平尺寸；以及 第二微电子器件，在没有粘合剂的情况下沿键合界面直接混合键合到所述键合表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人伊文萨思粘合技术公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。