绍兴中芯集成电路制造股份有限公司马跃获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346870B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211007717.X，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由马跃;袁家贵;何云设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制备方法及半导体器件。所述方法包括：在第一半导体材料层内形成第一沟槽；形成氧化层，氧化层包覆第一沟槽的侧壁和底壁且未填满第一沟槽；氧化层包括位于第一沟槽的侧壁的第一部和位于第一沟槽的底壁的第二部；第一部的厚度大于第二部的厚度；以所述氧化层作为掩膜层进行刻蚀，去除部分第一部、全部第二部、和经第二部暴露出来的部分第一半导体材料层，以在所述第一沟槽的底面向下延伸形成第二沟槽，所述第二沟槽的线宽小于所述第一沟槽的线宽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部向所述第一半导体材料层的内部掺杂预设厚度的导电材料，形成导电区。本发明所提供的半导体器件的制备方法及半导体器件，能降低生产成本。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一半导体材料层内形成第一沟槽； 形成氧化层，所述氧化层包覆所述第一沟槽的侧壁和底壁且未填满所述第一沟槽；所述氧化层包括位于所述第一沟槽的侧壁的第一部和位于所述第一沟槽的底壁的第二部；所述第一部的厚度大于所述第二部的厚度； 以所述氧化层作为掩膜层进行刻蚀，去除部分所述第一部、全部所述第二部、和经所述第二部暴露出来的部分所述第一半导体材料层，以在所述第一沟槽的底面向下延伸形成第二沟槽，所述第二沟槽的线宽小于所述第一沟槽的线宽； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部向所述第一半导体材料层的内部掺杂预设厚度的导电材料，形成导电区。
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