捷普有限公司L·L·明获国家专利权
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龙图腾网获悉捷普有限公司申请的专利提供用于半导体制造的斜坡式互连的装置、系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112740399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980061182.4，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权提供用于半导体制造的斜坡式互连的装置、系统和方法是由L·L·明;Z·B·萨姆苏丁设计研发完成，并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本提供用于半导体制造的斜坡式互连的装置、系统和方法在说明书摘要公布了：本公开是并且包括至少一种用于半导体制造中使用的斜坡式电互连的装置、系统和方法。该装置、系统和方法包括：至少一个第一半导体衬底，其上具有包括第一电气部件的第一电路；第二半导体衬底，其至少部分地覆盖所述第一电路，且在其上具有包括第二电气部件的第二电路；斜坡，其在所述第一电气部件中的至少一个与所述第二电气部件中的至少一个之间穿过所述第二半导体衬底形成；以及增材制造的导电迹线，其形成在所述斜坡上以电连接所述至少一个第一电气部件和所述至少一个第二电气部件。
本发明授权提供用于半导体制造的斜坡式互连的装置、系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种斜坡式电互连系统，包括： 第一半导体衬底，其上具有包括第一电气部件的第一电路； 第二半导体衬底，其至少部分地覆盖所述第一电路，且在其上具有包括第二电气部件的第二电路； 斜坡，其在所述第一电气部件中的至少一个与所述第二电气部件中的至少一个之间穿过所述第二半导体衬底形成；以及 增材制造的导电迹线，所述增材制造的导电迹线形成在所述斜坡上以电连接所述至少一个第一电气部件和所述至少一个第二电气部件，其中，所述导电迹线的厚度在由所述第二半导体衬底的最上部分提供的平面处最大，所述导电迹线的粒度与所述斜坡的粗糙度匹配。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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