拉碧斯半导体株式会社进藤正典获国家专利权
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龙图腾网获悉拉碧斯半导体株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113224024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110154347.1,技术领域涉及:H10W72/20;该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由进藤正典设计研发完成,并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法,当在布线上形成包含由铜构成的端子、和由银锡构成的焊料凸块的电极的情况下,能够兼得端子与焊料凸块之间的连接可靠性和导电性。半导体装置包含端子19,端子19与电路元件电连接,并且端子19具备隔着镍层20形成由银锡构成的焊料凸块12的上表面S,并且端子19使用铜形成,在半导体装置中,镍层20形成于上表面S上的部分区域。
本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,包含端子,上述端子与电路元件电连接,并且上述端子具备隔着镍层形成由银锡构成的焊料凸块的形成面,并且上述端子使用铜形成, 上述镍层形成于上述形成面上的部分区域, 上述焊料凸块形成于在上述形成面露出的上述端子以及上述镍层的上部, 且在上述形成面形成有未形成上述镍层的区域,以便在俯视时,上述形成面的形状呈十字。
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