超威半导体公司理查德·舒尔茨获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113261090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080007444.1，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片是由理查德·舒尔茨设计研发完成，并于2020-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片在说明书摘要公布了：公开了各种半导体芯片金属化层及其制造方法。一方面，提供了一种半导体芯片15，所述半导体芯片包括：衬底50；所述衬底上的多个金属化层75、80；所述金属化层中的一个中的第一导体线175b和所述金属化层中的所述一个中的第二导体线175c，所述第二导体线与所述第一导体线间隔开，所述第一导体线和所述第二导体线中的每一者具有第一线部190和堆叠在所述第一线部上的第二线部200；以及介电层187，所述介电层具有定位于所述第一导体线与第二线之间的部分，所述部分具有气隙185a。
本发明授权具有堆叠导体线和气隙的半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片15，其包括： 衬底50； 所述衬底上的多个金属化层75、80； 所述金属化层中的一个中的第一导体线175b和所述金属化层中的所述一个中的第二导体线175c，所述第二导体线与所述第一导体线间隔开，所述第一导体线和所述第二导体线中的每一者具有第一线部190和堆叠在所述第一线部上的第二线部200，其中所述第一线部190位于第一介电层195内，并且所述第二线部200位于第二介电层205内；和 第三介电层187，所述第三介电层具有定位于所述第一导体线与第二线之间的部分，所述部分具有气隙185a。
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