昭和电工材料株式会社夏川昌典获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法、以及在半导体装置的制造中使用的结构体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113039641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980074797.0，技术领域涉及：H10W90/00；该发明授权半导体装置及其制造方法、以及在半导体装置的制造中使用的结构体是由夏川昌典;苏德轩;上田麻未;平本祐也设计研发完成，并于2019-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法、以及在半导体装置的制造中使用的结构体在说明书摘要公布了：本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：A准备结构体的工序，所述结构体具备基板、配置于基板上的第一芯片、及配置于基板上且配置于第一芯片的周围的多个间隔物；B准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备尺寸大于第一芯片的第二芯片、及设置于第二芯片的一个面的黏合剂片；C以黏合剂片与多个间隔物的上表面接触的方式，将第二芯片配置于第一芯片的上方；以及D将第一芯片、间隔物、及第二芯片密封的工序，在实施D工序之前，间隔物的上表面的高度与第一芯片的上表面的高度一致。
本发明授权半导体装置及其制造方法、以及在半导体装置的制造中使用的结构体在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： A准备结构体的工序，所述结构体具备基板、配置于所述基板上的第一芯片、以及配置于所述基板上且配置于所述第一芯片的周围的多个间隔物； B准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备尺寸大于所述第一芯片的第二芯片、及设置在所述第二芯片的一个面的黏合剂片； C以所述黏合剂片与所述多个间隔物的上表面接触的方式，将所述第二芯片配置在所述第一芯片的上方的工序；以及 D密封所述第一芯片、所述间隔物及所述第二芯片的工序， 在实施D工序之前，所述间隔物的上表面的高度与所述第一芯片的上表面的高度一致， 在所述A工序准备的所述结构体中，所述间隔物的上表面高于所述第一芯片的上表面， 在所述C工序中，通过用所述带黏合剂片的芯片压扁所述间隔物，使所述间隔物的高度与所述第一芯片的上表面的高度一致， 所述间隔物是具备芯片、及设置在所述芯片的一个面的黏合剂片的虚设芯片， 所述虚设芯片所具备的所述黏合剂片比所述带黏合剂片的芯片所具备的黏合剂片软。
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