台湾积体电路制造股份有限公司陈振平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110192760.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件和方法是由陈振平;高魁佑;林士尧;林志翰;张铭庆;陈昭成设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极漏极区域，该外延源极漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。
本发明授权半导体器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 鳍，所述鳍从半导体衬底突出； 栅极堆叠，所述栅极堆叠在所述鳍的侧壁之上并且沿着所述鳍的所述侧壁； 栅极间隔件，所述栅极间隔件沿着所述栅极堆叠的侧壁和所述鳍的所述侧壁，其中，所述栅极间隔件的第一部分具有第一宽度，其中，所述栅极间隔件的第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一部分在垂直于所述鳍的侧壁的第二方向上比所述第二部分更靠近所述鳍，其中，所述第一宽度和所述第二宽度是在平行于所述鳍的侧壁的第一方向上测量到的； 外延源极漏极区域，所述外延源极漏极区域在所述鳍中并且与所述栅极间隔件相邻；以及 角间隔件，所述角间隔件在所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间，其中，所述角间隔件沿着所述鳍的所述侧壁延伸，其中，所述栅极堆叠和所述鳍的所述侧壁之间的第一区域中没有所述角间隔件，其中，所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间的第二区域中没有所述角间隔件，并且其中，所述第二区域与所述角间隔件横向相邻， 其中，所述角间隔件的沿着所述栅极堆叠的侧壁延伸的表面具有朝向所述栅极堆叠凸起的轮廓。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励