三星电子株式会社河承锡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有栅极隔离层的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910515825.X，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有栅极隔离层的半导体器件是由河承锡;宋炫昇;金孝珍;朴敬美;安国一设计研发完成，并于2019-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有栅极隔离层的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了具有栅极隔离层的半导体器件。一种半导体器件包括：具有第一区和第二区的衬底；第一有源鳍，其在第一区中在第一方向上延伸；第二有源鳍，其在第二区中在第一方向上延伸；第一场绝缘层，其位于第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；第二场绝缘层，其位于第二有源鳍之间，并且在第二方向上延伸；栅极线，其在第二场绝缘层上在第二方向上延伸，栅极线与第一场绝缘层一起直线地布置；栅极隔离层，其位于第一场绝缘层与栅极线之间；以及栅极间隔件，其在第二方向上延伸，栅极间隔件与第一场绝缘层、栅极线和栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。
本发明授权具有栅极隔离层的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其具有第一区和第二区； 第一有源鳍，其在所述第一区中在第一方向上延伸； 第二有源鳍，其在所述第二区中在所述第一方向上延伸； 第一场绝缘层，其位于所述第一有源鳍之间，并且在第二方向上延伸； 第二场绝缘层，其位于所述第二有源鳍之间，并且在所述第二方向上延伸； 栅极线，其在所述第二场绝缘层上在所述第二方向上延伸，所述栅极线沿着所述第二方向与所述第一场绝缘层重叠； 栅极隔离层，其位于所述第一场绝缘层与所述栅极线之间；以及 栅极间隔件，其在所述第二方向上延伸，所述栅极间隔件与所述第一场绝缘层、所述栅极线和所述栅极隔离层中的每一个的两个侧壁接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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