日月光半导体制造股份有限公司丁兆明获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利级联放大器偏置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111756337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910530127.7，技术领域涉及：H03F1/34；该发明授权级联放大器偏置是由丁兆明设计研发完成，并于2019-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本级联放大器偏置在说明书摘要公布了：一种功率放大器电路，其包含第一晶体管、第二晶体管和偏置电路。所述第一晶体管具有基极，其经配置以接收第一信号。所述第二晶体管具有连接到所述第一晶体管的集极的发射极，以及经配置以输出第二信号的集极。所述偏压电路耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管。所述偏压电路经配置以在所述第二晶体管的所述集极处提供约为所述第一晶体管的所述集极处的直流DC电压的两倍的DC电压。所述偏置电路经配置以在所述第二晶体管的所述集极处提供约为所述第一晶体管的所述集极处的交流电AC或射频RF电压的两倍的AC或RF电压。
本发明授权级联放大器偏置在权利要求书中公布了：1.一种功率放大器电路，其包括： 第一晶体管，其具有经配置以接收第一信号的基极； 第二晶体管，其具有连接到所述第一晶体管的集极的发射极，以及经配置以输出第二信号的集极；以及 偏置电路，其耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管， 其中所述偏置电路经配置以在所述第二晶体管的所述集极处产生约为所述第一晶体管的所述集极处的直流DC电压的两倍的DC电压； 其中所述偏置电路经配置以在所述第二晶体管的所述集极处产生约为所述第一晶体管的所述集极处的射频RF电压的两倍的RF电压；且 其中所述偏置电路包括： 第一电阻器，其连接于所述第二晶体管的所述集极；以及 第一电容器，其连接于所述第一电阻器与所述第二晶体管的所述基极之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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