三星电子株式会社白石千获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112038352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010500836.3，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权垂直存储器装置是由白石千设计研发完成，并于2020-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储器装置在说明书摘要公布了：一种垂直存储器装置包括：基板，其包括第一区域和第二区域；栅电极，其在第一方向上彼此间隔开，栅电极中的每一个在第一区域和第二区域上在第二方向上延伸，并且栅电极在第二区域上堆叠；沟道，其在第一区域上在第一方向上延伸，该沟道延伸穿过栅电极；在第一栅电极的端部上的第一导电结构，该端部在第二区域上，该第一栅电极设置在最下水平处；以及在第二区域上在第二方向上与第一导电结构间隔开的第二导电结构，该第二导电结构在第一方向上不与第一栅电极重叠并且设置在与第一导电结构的高度不同的高度处。
本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器装置，包括： 基板，其包括第一区域以及至少部分地围绕所述第一区域的第二区域； 在多个水平处的栅电极，所述栅电极在与所述基板的上表面实质上垂直的第一方向上彼此间隔开，所述栅电极中的每一个栅电极在所述第一区域和所述第二区域上在实质上平行于所述上表面的第二方向上延伸，并且所述栅电极在所述第二区域上以阶梯形状堆叠； 沟道，其在所述第一区域上在所述第一方向上延伸，所述沟道延伸穿过所述栅电极； 第一导电结构，其在所述栅电极当中的第一栅电极的端部上，所述端部在所述第二区域上，所述第一栅电极设置在所述多个水平中的最下水平处； 第二导电结构，其在所述第二区域上在所述第二方向上与所述第一导电结构间隔开，所述第二导电结构在所述第一方向上不与所述第一栅电极重叠并且设置在与所述第一导电结构的高度不同的高度处；以及 包含金属氧化物的阻挡图案，所述阻挡图案覆盖所述第一导电结构和所述第二导电结构中的每一者的上表面和下表面和侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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