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三星电子株式会社蒋妵希获国家专利权

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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112435986B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010868480.9,技术领域涉及:H10W72/00;该发明授权半导体器件及其制造方法是由蒋妵希;金石镐;罗勋奏;朴宰亨;李圭夏设计研发完成,并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了:提供了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括接合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、设置在第一基板上并且具有顶表面的第一绝缘层、嵌入在第一绝缘层中并且具有与第一绝缘层的顶表面基本齐平的顶表面的第一金属焊盘、以及设置在第一绝缘层和第一金属焊盘之间的第一阻挡件。第二半导体芯片以与第一半导体芯片相似的构造包括第二基板、第二绝缘层、第二金属焊盘和第二阻挡件。第一绝缘层的顶表面和第二绝缘层的底表面被接合以提供接合界面,第一金属焊盘和第二金属焊盘被连接,并且第一绝缘层的部分与第一金属焊盘的侧部区域接触。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括: 第一半导体芯片;以及 设置在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片, 其中所述第一半导体芯片包括: 第一基板; 第一绝缘层,设置在所述第一基板上并且具有顶表面; 第一金属焊盘,嵌入在所述第一绝缘层中并且具有与所述第一绝缘层的所述顶表面基本齐平的顶表面;以及 第一阻挡件,设置在所述第一绝缘层和所述第一金属焊盘之间, 其中所述第二半导体芯片包括: 第二基板; 第二绝缘层,设置在所述第二基板下方并具有底表面; 第二金属焊盘,嵌入在所述第二绝缘层中并且具有与所述第二绝缘层的所述底表面基本齐平的底表面;以及 第二阻挡件,设置在所述第二绝缘层和所述第二金属焊盘之间;以及 其中,所述第一绝缘层的所述顶表面和所述第二绝缘层的所述底表面被接合以提供接合界面, 所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘相互连接,以及 所述第一绝缘层的部分与所述第一金属焊盘的侧部区域接触, 其中所述第一绝缘层包括设置在所述第一基板上的第一绝缘膜和设置在所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜,所述第一阻挡件的端部位于所述第二绝缘膜中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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