三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括数据存储结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010922288.3，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权包括数据存储结构的半导体装置是由李炅奂;金容锡;金泰勋;朴硕汉;山田悟;洪载昊设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括数据存储结构的半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括：在衬底上的堆叠结构，该堆叠结构包括沿着第一方向堆叠的交替的栅电极和绝缘层；沿着第一方向穿过堆叠结构的竖直开口，该竖直开口包括沟道结构，该沟道结构具有在竖直开口的内侧壁上的半导体层以及在半导体层上的可变电阻材料，该可变电阻材料中的空位浓度沿其宽度变化以在更靠近沟道结构的中心而非更靠近半导体层处具有更高的浓度；以及在衬底上的杂质区域，该半导体层在沟道结构的底部接触该杂质区域。
本发明授权包括数据存储结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 在衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括沿着第一方向堆叠的交替的栅电极和绝缘层； 竖直开口，其沿着所述第一方向穿过所述堆叠结构，所述竖直开口包括沟道结构，所述沟道结构具有： 与所述竖直开口的内侧壁间隔开的芯区域； 位于所述竖直开口的内侧壁与所述芯区域之间的半导体层，以及 位于所述半导体层与所述芯区域之间的可变电阻材料，所述可变电阻材料中的空位浓度沿所述可变电阻材料的宽度而变化，使得所述可变电阻材料的更靠近所述芯区域的部分的空位浓度高于所述可变电阻材料的更靠近所述半导体层的部分的空位浓度；以及 在所述衬底上的杂质区域，所述半导体层在所述沟道结构的底部接触所述杂质区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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