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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011053000.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由张正伟;王菘豊;刘奕莹;朱家宏;李芳苇设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本发明涉及集成电路器件。晶体管结构包括通过栅极电介质与衬底分隔开的栅电极和设置在位于栅电极的相对侧上的衬底内的一对源极漏极区域。下导电插塞设置为穿过下层间介电ILD层并且接触第一源极漏极区域。覆盖层设置在下导电插塞正上方。上层间介电ILD层设置在覆盖层和下ILD层上方。上导电插塞设置为穿过上ILD层并且位于覆盖层正上方。本发明的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。

本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，包括： 晶体管结构，包括设置在衬底上的一对源极漏极区域和位于所述一对源极漏极区域之间的栅电极，所述栅电极通过栅极电介质与所述衬底分隔开； 下导电插塞，设置为穿过下层间介电层并且接触第一源极漏极区域； 覆盖层，设置在所述下导电插塞正上方； 上层间介电层，设置在所述覆盖层和所述下层间介电层上方；以及 上导电插塞，设置为穿过所述上层间介电层并且位于所述覆盖层正上方； 第一接触蚀刻停止层，设置在所述上层间介电层和所述下层间介电层之间；以及 电源轨导电插塞，其中，所述电源轨导电插塞包括：位于栅电极和第一源极漏极区域上方的金属芯及内衬所述金属芯的侧壁的混合阻挡层，以及穿过所述第一接触蚀刻停止层并电耦接至所述栅电极的第一部分，和通过所述下导电插塞电耦接至所述第一源极漏极区域的第二部分，所述第一部分具有超出所述第二部分的超出部分，其中，所述第一接触蚀刻停止层的最底表面低于所述下层间介电层的最顶表面，并且所述金属芯直接接触所述第一接触蚀刻停止层， 其中，所述第一接触蚀刻停止层包围所述超出部分和所述覆盖层、并且在所述超出部分与所述覆盖层之间连续延伸，所述混合阻挡层不在所述第一接触蚀刻停止层与所述超出部分之间的界面处， 所述混合阻挡层包括所述金属芯和所述上层间介电层的原子；所述混合阻挡层与所述覆盖层的接触面，高于所述金属芯的位于所述栅电极上方的底面。

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