台湾积体电路制造股份有限公司程仲良获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110585596.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权集成电路及其形成方法是由程仲良设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体工艺系统蚀刻半导体晶圆上的薄膜。半导体工艺系统包括基于机器学习的分析模型。分析模型通过接收静态工艺条件和目标薄膜数据来动态选择蚀刻工艺的工艺条件。分析模型识别动态工艺条件数据，该数据与静态工艺条件数据一起可使得预测的剩余薄膜数据与目标薄膜数据匹配。然后，工艺系统将静态和动态工艺条件数据用于接下来的蚀刻工艺。本申请的实施例提供了集成电路及其形成方法。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 晶体管，包括端子； 介电层，设置在所述端子上并具有暴露所述端子并包括沟槽侧壁的第一沟槽； 钛层，位于所述第一沟槽中且位于所述端子上，所述钛层具有凸形顶面； 第一氮化钛层，设置在所述端子上，所述第一氮化钛层具有与位于所述第一沟槽中的所述钛层的凸形顶面接触的凹形底面，所述第一氮化钛层包括沿着所述钛层的所述凸形顶面延伸的第一部分、及沿着所述沟槽侧壁的一部分竖直延伸并突出于所述第一部分的第二部分； 第二氮化钛层，接触并沿着所述第一氮化钛层的所述第二部分上方的所述沟槽侧壁、以及所述第一氮化钛层的顶面延伸，所述第二氮化钛层的底面的一部分与所述第一氮化钛层的所述第一部分接触并具有凸形，所述第二氮化钛层在所述沟槽侧壁上的竖直延伸程度大于所述第一氮化钛层的所述第二部分的竖直延伸程度；以及 导电塞，位于所述第一沟槽中并与所述第二氮化钛层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励