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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113506800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110776239.8，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体装置是由吉田崇一设计研发完成，并于2017-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方；以及保护膜，其至少一部分设置在发射电极的上方，所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板； 晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区； 二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧不具有所述发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区； 边界部，其设置于所述晶体管部与所述二极管部之间，且在半导体基板的上表面侧不设置所述发射区，在所述半导体基板的下表面侧设置有所述集电区； 发射电极，其设置在所述半导体基板的上表面的上方； 保护膜，其至少一部分设置在发射电极的上方；以及 上表面侧寿命减少区，其在所述半导体基板的上表面侧，在所述排列方向上设置于整个所述二极管部和所述边界部中的与所述二极管部邻接的一部分区域且不设置在所述晶体管部， 所述阴极区在与所述半导体基板的上表面平行的面不与所述保护膜重叠， 所述保护膜经由所述发射电极而仅设置在所述晶体管的上方的一部分，并且不设置在所述边界部的上方， 所述晶体管部和所述二极管部在所述半导体基板的上表面沿着预先决定的排列方向而交替地配置， 所述上表面侧寿命减少区在与所述半导体基板的上表面平行的面与整个所述阴极区重叠，且不与所述保护膜重叠， 所述上表面侧寿命减少区在所述排列方向上以覆盖整个所述阴极区的方式设置， 所述二极管部的所述排列方向的端部位置与所述阴极区的所述排列方向的端部位置重合， 所述上表面侧寿命减少区的所述排列方向的端部位置位于所述边界部，并且以不与所述保护膜的所述排列方向的端部位置和所述二极管部的所述排列方向的端部位置重合的方式，配置于所述保护膜的所述排列方向的端部位置与所述二极管部的所述排列方向的端部位置之间。

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