株式会社迪思科杉山智瑛获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法和保持工作台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113643972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110441085.7，技术领域涉及：H10P54/00；该发明授权晶片的加工方法和保持工作台是由杉山智瑛;山本直子设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的加工方法和保持工作台在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法和保持工作台，抑制生产效率降低和器件损伤。该方法包含如下步骤：准备步骤，准备保持工作台，保持工作台包含保持部和环状凸部支承部，保持部具有与晶片的中央凹部对应的保持面，环状凸部支承部具有围绕保持面且比保持面低的环状支承面，保持面与环状支承面的高度差至少形成为中央凹部的深度的值以上；片材配设步骤，在晶片的背面上配设片材；保持步骤，利用保持工作台对晶片的背面侧进行保持；切断步骤，在保持部上使切削刀具切入晶片直至到达片材，将环状凸部从晶片切离；和环状凸部去除步骤，利用切削刀具对通过切断步骤从晶片切离而被环状凸部支承部支承的环状凸部进行切削而进行粉碎，将环状凸部从片材上去除。
本发明授权晶片的加工方法和保持工作台在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，该晶片在背面形成有中央凹部并且具有围绕该中央凹部的环状凸部，其中， 该晶片的加工方法具有如下的步骤： 准备步骤，准备保持工作台，该保持工作台包含保持部和环状凸部支承部，该保持部具有与该中央凹部对应的保持面，该环状凸部支承部具有围绕该保持面并且比该保持面低的环状支承面，该保持面与该环状支承面的高度差至少形成为该中央凹部的深度的值以上，该中央凹部的深度是从晶片的该环状凸部的上表面至该中央凹部的底面的深度； 片材配设步骤，在晶片的背面上配设片材； 保持步骤，隔着该片材而利用该保持工作台对晶片的背面侧进行保持； 切断步骤，在该保持部上使切削刀具切入晶片直至到达该片材，并使该保持工作台相对于该切削刀具相对移动而将晶片的该环状凸部从晶片切离；以及 环状凸部去除步骤，利用切削刀具对通过该切断步骤从晶片切离而被该环状凸部支承部支承的该环状凸部进行切削而进行粉碎，从而将该环状凸部从该片材上去除。
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