德州仪器公司金宇灿获国家专利权
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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利双侧冷却的电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033821.9，技术领域涉及：H10W40/00；该发明授权双侧冷却的电子器件是由金宇灿;安尼迪亚·波达尔;维韦克·基肖尔昌德·阿罗拉设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本双侧冷却的电子器件在说明书摘要公布了：一种封装电子器件100包括：封装结构120，其包围第一和第二半导体裸片101,102；裸片附接焊盘104，其第一侧130附接至所述裸片101,102之一，并且第二侧144沿着所述封装结构120的一侧142暴露；以及衬底110，其包括沿所述封装结构120的另一侧141暴露的第一金属层118、焊接至所述裸片101,102的触点122,132的第二金属层114,116，以及延伸于所述第一和第二金属层118,114,116之间并将其分隔开的隔离层112。
本发明授权双侧冷却的电子器件在权利要求书中公布了：1.一种封装电子器件，其包含： 裸片附接焊盘，其包括第一侧和相对的第二侧； 第一半导体裸片，其包括连接至所述裸片附接焊盘的所述第一侧的第一侧和相对的第二侧，所述第一半导体裸片的所述第二侧包括第一触点和第二触点； 第二半导体裸片，其包括连接至所述裸片附接焊盘的所述第一侧的第一侧和相对的第二侧，所述第二半导体裸片的所述第二侧包括第一触点和第二触点； 衬底，其包括： 隔离层，其包括第一侧和相对的第二侧， 第一金属层，其形成在所述隔离层的所述第一侧上，以及 第二金属层，其形成在所述隔离层的所述第二侧上，所述第二金属层连接至所述第一半导体裸片的所述第二侧，所述第二金属层连接至所述第二半导体裸片的所述第二侧，并且所述第二金属层与所述第一金属层电隔离；以及 封装结构，其包围所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片、所述裸片附接焊盘的一部分和所述衬底的一部分，所述封装结构包括： 第一侧，其暴露所述衬底的所述第一金属层的一部分，以及 第二侧，其暴露所述裸片附接焊盘的所述第二侧的一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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