台湾积体电路制造股份有限公司杨挺立获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111011574.5，技术领域涉及：H10W72/20；该发明授权半导体器件及其形成方法是由杨挺立;蔡柏豪;郑明达;庄咏涵;王学圣设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了用于形成伪凸块下金属化结构的方法和通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包括：第一再分布线和第二再分布线，处于半导体衬底上方；第一钝化层，处于第一再分布线和第二再分布线上方；第二钝化层，处于第一钝化层上方；第一凸块下金属化UBM结构，处于第一再分布线上方，第一UBM结构延伸穿过第一钝化层和第二钝化层并电耦接至第一再分布线；以及第二UBM结构，处于第二再分布线上方，第二UBM结构延伸穿过第二钝化层，第二UBM结构通过第一钝化层与第二再分布线电隔离。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一再分布线和第二再分布线，处于半导体衬底上方，其中，所述第一再分布线的底面与所述第二再分布线的底面齐平； 第一钝化层，处于所述第一再分布线和所述第二再分布线上方； 第二钝化层，处于所述第一钝化层上方； 第一凸块下金属化UBM结构，处于所述第一再分布线上方，所述第一凸块下金属化结构延伸穿过所述第一钝化层和所述第二钝化层并电耦接至所述第一再分布线；以及 第二凸块下金属化结构，处于所述第二再分布线上方，所述第二凸块下金属化结构延伸穿过所述第二钝化层，所述第二凸块下金属化结构通过所述第一钝化层与所述第二再分布线电隔离， 其中，所述第一钝化层沿着所述第一再分布线和所述第二再分布线的侧壁延伸。
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