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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110531734.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由朴瑞龙;韩升煜;J·安;李基硕;崔允荣;洪智硕设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置包括：衬底,其具有单元阵列区、第一界面区和第二界面区，单元阵列区设有有源区；单元阵列区和第二界面区上的位线；电介质图案，其位于位线的顶表面上，并沿着位线的顶表面延伸，并且还延伸至第一界面区上；器件隔离图案，其位于衬底上，并且包括单元阵列区上的第一部分和第一界面区上的第二部分，第一部分限定有源区，第二部分设有第一凹部，并且每个第一凹部布置在两个邻近的电介质图案之间；以及第一牺牲半导体图案，其布置在第一界面区上，并且在第一凹部中。第一牺牲半导体图案包括多晶硅。

本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 衬底，其具有单元阵列区、第一界面区和所述单元阵列区与所述第一界面区之间的第二界面区，所述单元阵列区设有在第一方向上延伸的多个有源区； 多条位线，其位于所述单元阵列区和所述第二界面区上，所述多条位线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸； 多个电介质图案，其位于所述多条位线的顶表面上，所述多个电介质图案沿着所述多条位线的顶表面在所述第二方向上延伸，并且还延伸至所述第一界面区上； 器件隔离图案，其位于所述衬底上， 其中，所述器件隔离图案包括所述单元阵列区上的第一部分和所述第一界面区上的第二部分， 其中，所述器件隔离图案的所述第一部分限定所述多个有源区， 其中，所述器件隔离图案的所述第二部分设有多个第一凹部，并且 其中，当在平面图中看所述半导体存储器装置时，所述多个第一凹部中的每一个设置在布置在所述第一界面区上的所述多个电介质图案中的两个邻近的电介质图案之间；以及 多个第一牺牲半导体图案，其布置在所述第一界面区上，并且布置在所述器件隔离图案的所述多个第一凹部中， 其中，所述多个第一牺牲半导体图案包括多晶硅。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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