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龙图腾网获悉埃尔费斯有限公司申请的专利辐射传感器元件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994469B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080044059.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权辐射传感器元件及方法是由安蒂·哈拉希尔图奈恩;尤哈·海诺宁;米科·云图宁;基娅拉·莫达内斯;托尼·帕萨宁;H·萨维恩;维莱·瓦哈尼西设计研发完成，并于2020-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本辐射传感器元件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种辐射传感器元件100，包括：半导体衬底101，所述半导体衬底具有：主体折射率；前表面102；基本上沿基准平面104延伸的后表面103；以及多个像素部分110。每个像素部分111,112包括在后表面103上的收集区域120以及在前表面102上的纹理化区域130。纹理化区域130包括高深宽比纳米结构135，高深宽比纳米结构基本上沿垂直于基准平面104的厚度方向延伸并且形成光转换层136，光转换层具有向主体折射率逐渐变化的有效折射率，以减少从半导体衬底101的前侧入射到所述像素部分上的光的反射。

本发明授权辐射传感器元件及方法在权利要求书中公布了：1.一种辐射传感器元件100，所述辐射传感器元件包括：半导体衬底101，所述半导体衬底具有：第一极性的主体多数电荷载流子，主体折射率，限定所述半导体衬底101的前侧的前表面102，以及与所述前表面102相反布置并且沿基准平面104延伸的后表面103； 所述辐射传感器元件100包括：多个像素部分110，所述多个像素部分110中的每个像素部分111,112包括在所述后表面103上的收集区域120，以用于收集与所述第一极性的符号相反的第二极性的自由电荷载流子； 其中，所述多个像素部分110中的每个像素部分111,112包括在所述前表面102上的纹理化区域130，所述纹理化区域130包括高深宽比纳米结构135，所述高深宽比纳米结构沿垂直于所述基准平面104的厚度方向延伸并且形成光转换层136，所述光转换层具有向所述主体折射率逐渐变化的有效折射率，以减少由闪烁体170发射的并且从所述半导体衬底101的所述前侧入射到所述像素部分上的光的反射； 所述辐射传感器元件100包括：在所述多个像素部分110的两个像素部分111,112之间的中间部分140，所述中间部分140包括在所述前表面102上的中间区域141，所述中间区域的均方根粗糙度低于所述两个像素部分111,112中的任一像素部分的纹理化区域130的均方根粗糙度；以及 所述辐射传感器元件100包括：联接到所述中间区域141的所述闪烁体170。

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