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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学(筹)申请的专利铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005740B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244638.6，技术领域涉及：H10P14/22；该发明授权铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法是由赵晨晨;李伟民;祁同庆;王伟;张琛;周鸿飞;冯叶;李文杰;马明;杨春雷设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括步骤：S10、将基底加热至第一温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；S20、提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；S30、保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒，获得铜铟镓硒薄膜；其中，步骤S10中硒的蒸气压为步骤S30中硒的蒸气压的4～8倍，步骤S20中硒的蒸气压为步骤S10中硒的蒸气压的2～8倍；步骤S10中铟和镓的蒸气压为步骤S30中铟和镓的蒸气压的4～8倍。本发明在三步共蒸发法制备铜铟镓硒薄膜的过程中，通过调控各个共蒸步骤的硒的蒸气压，可以使得共蒸设备的反应腔室的薄膜生长环境更加稳定从而有利于高质量薄膜的生长，并且还可以避免硒源的浪费从而能够更加准确地控制固态硒源的耗尽时间。

本发明授权铜铟镓硒薄膜的制备方法、光电器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10、将基底加热至第一温度，在所述基底上共蒸铟、镓和硒； S20、提高所述基底的温度至第二温度，在所述基底上共蒸铜和硒； S30、保持所述基底的温度为第二温度，在所述基底上共蒸铟、镓和硒，获得铜铟镓硒薄膜； 其中，所述步骤S10中硒的蒸气压为所述步骤S30中硒的蒸气压的4～8倍，所述步骤S20中硒的蒸气压为所述步骤S10中硒的蒸气压的2～8倍；所述步骤S10中铟和镓的蒸气压为所述步骤S30中铟和镓的蒸气压的4～8倍； 其中，所述步骤S10至步骤S30的硒蒸气是使用高温裂解炉对固态硒进行蒸发和裂解后提供的小分子硒蒸气； 其中，所述高温裂解炉包括低温蒸发区和高温裂解区，所述使用高温裂解炉对固态硒进行蒸发和裂解包括： 将固态硒置于所述低温蒸发区中，将所述低温蒸发区加热至温度T1并保持时间t1；所述温度T1为90℃～110℃，所述时间t1为1.5h～2.5h； 将所述低温蒸发区继续升温至温度T2以及将所述高温裂解区升温至温度T3并保持时间t2；所述温度T2为290℃～310℃，所述温度T3为440℃～460℃，所述时间t2为1.5h～2.5h； 将所述低温蒸发区继续升温至温度T4以及将所述高温裂解区继续升温至温度T5并保持时间t3；所述温度T4为370℃～390℃，所述温度T5为480℃～520℃，所述时间t3为3.5h～4.5h； 将所述高温裂解区继续升温至温度T6以对所述高温裂解区的硒蒸气进行裂解；所述温度T6为600℃～750℃。

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