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龙图腾网获悉东芝存储器株式会社申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111352867.X，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体存储装置是由伊藤孝政;福住嘉晃设计研发完成，并于2017-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明是一种电极膜的电阻较低的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第一电极膜，沿第一方向延伸；第二电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；第三电极膜，设置于第一电极膜的第二方向上，沿第一方向延伸；绝缘部件，设置于第二电极膜与第三电极膜之间，沿第一方向延伸；第一半导体部件，沿第二方向延伸，贯穿第一电极膜及第二电极膜；第二半导体部件，沿第二方向延伸，贯穿第一电极膜及第三电极膜；及第三半导体部件，沿第二方向延伸，第一部分配置于第二电极膜与第三电极膜之间且与绝缘部件相接，第二部分贯穿第一电极膜。在第一方向上，第三半导体部件的排列密度小于第一半导体部件的排列密度及第二半导体部件的排列密度。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于具备： 第一电极膜，沿第一方向延伸； 第二电极膜，设置于所述第一电极膜的与所述第一方向正交的第二方向上，且沿所述第一方向延伸； 第三电极膜，设置于所述第一电极膜的所述第二方向上，设置于所述第二电极膜的与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向上，且沿所述第一方向延伸； 绝缘部件，设置于所述第二电极膜与所述第三电极膜之间，且沿所述第一方向延伸； 第一半导体部件，沿所述第一方向以第一周期排列，沿所述第二方向延伸，且贯穿所述第一电极膜及所述第二电极膜； 第二半导体部件，沿所述第一方向以第一周期排列，沿所述第二方向延伸，且贯穿所述第一电极膜及所述第三电极膜； 第三半导体部件，沿所述第一方向以比所述第一周期更长的第二周期排列，配置于所述绝缘部件的所述第二方向，沿所述第二方向延伸，贯穿所述第一电极膜； 第一绝缘膜，设置于所述第一半导体部件与所述第一电极膜之间； 第二绝缘膜，设置于所述第一半导体部件与所述第一绝缘膜之间；以及 第三绝缘膜，设置于所述第一绝缘膜与所述第一电极膜之间；且 所述第一绝缘膜的氮浓度高于所述第二绝缘膜的氮浓度及所述第三绝缘膜的氮浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东芝存储器株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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