南亚科技股份有限公司田来成获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利电容结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935451.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容结构及其制造方法是由田来成;方伟权;林育廷;王茂盈设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种电容结构包括基板、复数个柱电容以及氧化层。柱电容位于基板的顶表面上并形成电容阵列。氧化层覆盖电容阵列的顶部与侧部以及基板的部分。柱电容沿第一方向延伸，基板的顶表面沿第二方向延伸，其中第一方向垂直于第二方向。氧化层从电容阵列的顶部沿第三方向延伸至基板，并且第一方向与第三方向之间夹一角度。如此，减少局部应力而避免掉非预期的损害。
本发明授权电容结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构，其特征在于，包括： 基板； 复数个柱电容，位于该基板的顶表面并形成电容阵列，其中该些柱电容沿第一方向延伸，该基板的该顶表面沿第二方向延伸，该第一方向垂直于该第二方向； 氧化层，覆盖该电容阵列的顶部与侧部，其中该氧化层从该电容阵列的该顶部沿第三方向延伸至该基板，并且该第一方向与该第三方向之间夹一角度；以及 第一支撑层以及第二支撑层，其中该第一支撑层与该第二支撑层连接该些柱电容的侧部并为该氧化层覆盖，每一该第一支撑层与该第二支撑层在该第二方向上从该电容阵列的该侧部凸出，该第一支撑层位于该第二支撑层与该基板的该顶表面之间，并且该第一支撑层在该第二方向上相对该第二支撑层具有额外长度，使得该第一支撑层的长度大于该第二支撑层的长度，并且该氧化层沿该第三方向延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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