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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110849572.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案是由蔡新树;陈学深;陈元文;郭克文;卓荣发设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案在说明书摘要公布了：本公开涉及单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括被隔离结构围绕的有源区。可以在有源区之上布置浮置栅极，浮置栅极具有位于隔离结构之上的第一端和第二端。可以在有源区中邻近浮置栅极的第一侧提供第一掺杂区，以及可以在有源区中邻近浮置栅极的第二侧提供第二掺杂区。可以在浮置栅极之上提供第一电容器，由此第一电容器的第一电极电耦合到浮置栅极。可以提供第二电容器，由此第二电容器的第一电极位于隔离结构之上并与浮置栅极邻近。

本发明授权单阱一晶体管和一电容器非易失性存储器器件以及集成方案在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，包括： 有源区，其被隔离结构围绕； 浮置栅极，其位于所述有源区之上，所述浮置栅极具有沿与所述有源区垂直的方向与所述隔离结构重叠的第一端和第二端； 电介质层，其位于所述浮置栅极与所述有源区之间，其中所述电介质层的至少一部分沿与所述有源区垂直的所述方向与所述隔离结构重叠； 第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述有源区中并与所述浮置栅极的第一侧邻近，所述第二掺杂区位于所述有源区中并与所述浮置栅极的第二侧邻近； 第一电容器，其位于所述浮置栅极之上，所述第一电容器包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电容器电介质，其中所述第一电容器的所述第一电极电耦合到所述浮置栅极，其中，所述第一电容器的面积大于所述浮置栅极的面积； 第二电容器，其中所述第二电容器的第一电极位于所述隔离结构之上并与所述浮置栅极邻近，其中，所述第一电容器与所述第二电容器的所述第一电极部分重叠；以及 接触，其布置在所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第一电容器的所述第二电极之上，其中所述接触将所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第一电容器的所述第二电极耦合到输入端子。

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