铠侠股份有限公司一之濑大吾获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110250414.X，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体存储装置是由一之濑大吾设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体存储装置具备：积层体，由第1层与第2层交替地积层而成；及板状部，在积层体的积层方向贯穿积层体，在与积层方向交叉的第1方向延伸。第1层由第1绝缘材料形成。第2层分别具有绝缘区域及在第1方向与绝缘区域连接的导电区域，该绝缘区域由第2绝缘材料形成，以至少占据在第1方向延伸的板状部各自的端部与第1方向上的积层体的端部之间的方式，从积层体的端部向第1方向延伸而配置。绝缘区域与导电区域的交界部沿着第1方向位于比多个板状部的各端部更远离积层体的端部的位置上。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 积层体，由多个第1层与多个第2层交替地逐层积层而成；及 多个板状部，在所述积层体的积层方向贯穿所述积层体，并在与所述积层方向交叉的第1方向延伸； 所述多个第1层由第1绝缘材料形成， 所述多个第2层分别具有第1绝缘区域及在所述第1方向上与该第1绝缘区域连接的导电区域，所述第1绝缘区域由第2绝缘材料形成，以至少占据在所述第1方向上延伸的多个板状部各自的第1端部与所述第1方向上的所述积层体的第1端部之间的方式，从所述积层体的所述第1端部向所述第1方向延伸而配置， 所述第1绝缘区域与所述导电区域的交界部沿着所述第1方向位于比所述多个板状部的各第1端部更远离所述积层体的所述第1端部的位置上， 所述多个板状部分别包含绝缘性障壁层，该绝缘性障壁层从所述多个板状部的各第1端部沿着所述第1方向以特定长度延伸， 将所述障壁层沿着所述第1方向延伸的所述特定长度设为BLL，将所述多个板状部中相邻的2个板状部的间隔设为FGW时，BLL＞FGW2的关系成立。
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