苏州华太电子技术有限公司莫海锋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术有限公司申请的专利一种射频LDMOS器件及其制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010913893.4，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种射频LDMOS器件及其制作工艺是由莫海锋;彭虎设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种射频LDMOS器件及其制作工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频LDMOS器件及其制作工艺。所述器件包括衬底，设置于衬底上的外延层、第一层金属层和半通孔焊盘，外延层的厚度大于10um，且外延层的电阻率是衬底电阻率的10000倍以上。外延层内形成有器件的体接触区和半通孔，半通孔的一端穿过体接触区至外延层远离衬底的表面，另一端穿过外延层与衬底连接；半通孔焊盘位于第一金属层和外延层之间，且其一端与第一金属层连接，另一端与半通孔连接。本发明通过将厚且高祖的外延层与半通孔结合，提高了器件的击穿电压范围，降低了器件的电容，同时，进一步降低了器件连接衬底的电阻，提高了器件的增益和效率。且与全通孔相比，具有更低的成本，器件也更稳定。
本发明授权一种射频LDMOS器件及其制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种射频LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 衬底， 外延层，设置于所述衬底上，所述外延层的厚度大于10um，且所述外延层的电阻率是衬底电阻率的10000倍以上，以令器件输出端的PN结耗尽层变宽；所述外延层内形成有器件的体接触区和半通孔，所述半通孔的一端穿过所述体接触区至外延层远离衬底的表面，另一端穿过外延层与衬底连接；所述半通孔的数量为一个或多个； 第一层金属层， 半通孔焊盘，所述半通孔焊盘位于第一金属层和外延层之间，且其一端与第一金属层连接，另一端与半通孔连接，覆盖一个或多个半通孔，以降低器件的连接电阻。
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