意法半导体股份有限公司A·米诺蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改进的可靠性和可检查性的封装半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111070283.3，技术领域涉及：H10W74/10；该发明授权具有改进的可靠性和可检查性的封装半导体器件及其制造方法是由A·米诺蒂设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改进的可靠性和可检查性的封装半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及具有改进的可靠性和可检查性的封装半导体器件及其制造方法。封装器件具有：承载基座；在承载基座中的容纳腔；在容纳腔中的半导体裸片，半导体裸片具有裸片焊盘；覆盖半导体裸片和承载基座的保护层；在裸片焊盘处、在保护层中的第一过孔；以及导电材料的连接端子。连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，第一连接部分在第一过孔中、并且与裸片焊盘电接触，并且第二连接部分沿着封装器件的侧面在保护层上延伸。
本发明授权具有改进的可靠性和可检查性的封装半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装器件，包括： 正面、与所述正面相对的背面、以及在所述正面与所述背面之间延伸的侧面； 承载基座； 在所述承载基座中的容纳腔，其中在形成所述承载基座时，所述容纳腔被容纳分离腔的定界壁包围； 在所述容纳腔中的半导体裸片，所述半导体裸片具有裸片焊盘； 保护层，覆盖所述半导体裸片和所述承载基座，其中在形成所述保护层时，所述保护层在所述半导体裸片周围在所述容纳腔中延伸以及在所述分离腔中延伸； 在所述裸片焊盘处、在所述保护层中的第一过孔；以及 导电材料的连接端子，所述连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，所述第一连接部分在所述第一过孔中、并且与所述裸片焊盘电接触，所述第二连接部分沿着所述封装器件的所述侧面在所述保护层上延伸，其中在形成所述导电材料的连接端子时，所述第二连接部分在凹槽中，所述凹槽在所述分离腔上方、在所述保护层中。
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