诺思(天津)微系统有限责任公司庞慰获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114275732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011035469.0，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电子设备是由庞慰;黄源清;张孟伦设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MEMS器件的封装结构、基底结构和制造方法。封装结构包括：第一基底，具有第一对置面；第二基底，具有与第一对置面对置的第二对置面；导电层，设置在第一对置面一侧，导电层包括接合层和第一抵接部，接合层包括面对第一对置面的密封界面，第一抵接部在接合层的与密封界面相对的表面与接合层相连接；第二抵接部，设置在第二对置面一侧，第一抵接部与第二抵接部彼此对置接合而电连接，第二抵接部适于与MEMS器件电连接，其中：封装结构还包括导通部，导通部与导电层电连接。本发明还涉及一种MEMS器件、一种滤波器和一种电子设备。
本发明授权MEMS器件及其封装结构、基底结构和制造方法、滤波器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的封装结构，包括： 第一基底，第一基底具有第一对置面以及与第一对置面在基底的厚度方向上相对的第一非对置面； 第二基底，第二基底具有第二对置面以及与第二对置面在基底的厚度方向上相对的第二非对置面，第一对置面表面与第二对置面彼此对置； 导电层，设置在第一对置面一侧，导电层包括接合层和第一抵接部，所述接合层包括面对所述第一对置面的密封界面，所述第一抵接部在所述接合层的与所述密封界面相对的表面与接合层相连接； 第二抵接部，设置在第二对置面一侧，第一抵接部与第二抵接部彼此对置接合而电连接，第二抵接部适于与MEMS器件电连接， 其中： 所述封装结构还包括导通部，所述导通部穿过所述第一基底与所述导电层电连接。
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