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龙图腾网获悉广东晶科电子股份有限公司申请的专利一种LED封装结构、封装器件及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111655041.0，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权一种LED封装结构、封装器件及封装方法是由温绍飞;林仕强;万垂铭;朱文敏;李晨骋;曾照明;肖国伟设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED封装结构、封装器件及封装方法在说明书摘要公布了：一种LED封装结构、封装器件及封装方法，LED封装结构包括基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；所述第二封装层设置于所述流道中。通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。

本发明授权一种LED封装结构、封装器件及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装器件的封装方法，其特征在于，封装器件包括多个由发光二极管单元和光转换层组成的像素点，所述像素点具有LED封装结构，所述LED封装结构包括：基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；所述第二封装层设置于所述流道中；所述光转换层为倒梯形结构，所述流道为梯形结构；所述光转换层与所述发光二极管单元的正上方的表面直接接触，相邻的所述光转换层互不接触且独立设置；所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度一致，所述第二封装层的高度与所述光转换层的高度一致；相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02-2mm，所述第一封装层为具有高反射率添加剂的热固性硅胶，所述第二封装层为具有高阻光添加剂的热固性硅胶；所述发光二极管单元与光转换层之间设有第三封装层，所述光转换层填充黑胶吸光层；所述LED封装结构还包括围墙胶，所述围墙胶设于所述基板，并将所述发光二极管单元包围；对所述的LED封装结构进行封装，包括以下步骤：S1、将多个所述发光二极管单元固定在所述基板上；S2、将所述围墙胶通过围坝的方式固定在所述基板上，形成矩形围墙，并包围在所有发光二极管单元的四周；S3、将所述第一封装层通过点胶的方式填充于所述发光二极管单元的四周，且所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度平齐；S4、将所述光转换层通过喷涂或点胶的方式覆盖在所述发光二极管单元的上方；S5、通过切割的方式将不同位置的所述发光二极管单元的上方的光转换层切出流道；S6、通过点胶的方式将第二封装层填充在所述流道中。

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