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龙图腾网获悉广西科技大学申请的专利非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210263712.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法是由余志强;陈诚;徐佳敏;曲信儒;韩旭;镇丹;刘宝生;孙子君;张喨;欧梅莲设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性FeOOHTiO22异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法，包括底电极，底电极上外延依次生长有TiO22阻变层和FeOOH阻变层，FeOOH阻变层表面沉积有上电极。制备方法包括，导电面朝下的底电极衬底斜放在水热反应釜内胆内，加入配制钛酸四丁酯的反应液，保持部分底电极衬底高于反应液面，密封后置于马弗炉中，水热反应；得到TiO22底电极样品；外延生长面朝下斜放在水热反应釜内胆内，加入FeCl33·6H22O的反应溶液，密封后置于马弗炉中，水热反应完成后得到所需FeOOHTiO22底电极异质结样品；表面沉积一定厚度和形貌的上电极。本发明提供了一种低成本、高密度非易失性FeOOHTiO22异质结忆阻器。

本发明授权非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法在权利要求书中公布了：1.非易失性FeOOHTiO2异质结忆阻器，其特征在于，包括底电极，底电极上外延依次生长有TiO2阻变层和FeOOH阻变层，FeOOH阻变层表面沉积有上电极；上电极为金属W电极，底电极为FTO衬底； 通过以下制备方法所得： 步骤1，TiO2底电极样品反应液的配制：在磁力搅拌下，配制钛酸四丁酯的反应液； 步骤2，将导电面朝下的干净底电极衬底斜放在水热反应釜内胆内，按比例加入步骤1中的反应液，同时保持部分底电极衬底高于反应液面，密封后置于马弗炉中，水热反应； 步骤3，水热反应完成后，冷却至室温，取出底电极样品并依次用乙醇、去离子水冲洗干净，自然晾干，得到所需TiO2底电极样品； 步骤4，FeOOHTiO2底电极异质结样品反应液的配制：在磁力搅拌下，配制含有FeCl3▪6H2O的反应溶液； 步骤5，将步骤3中所制备的TiO2底电极样品外延生长面朝下斜放在水热反应釜内胆内，按比例加入步骤4中的反应溶液，保持所加反应溶液与步骤2所加反应液体积一致，密封后置于马弗炉中； 步骤6，水热反应完成后，反应釜冷却至室温，取出样品并用去离子水冲洗干净，自然晾干，得到所需FeOOHTiO2底电极异质结样品； 步骤7，将步骤6制备的FeOOHTiO2底电极异质结样品表面沉积一定厚度和形貌的上电极，实现FeOOHTiO2异质结忆阻器的制备。

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