中微半导体设备(上海)股份有限公司王乔慈获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011578788.6，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构是由王乔慈;赵军;王晓雯设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构，包括：提供一基底，基底上设有待刻蚀层，待刻蚀层上设有图案化后的图形层，待刻蚀层的厚度与图形层的厚度比大于5；向图形层的表面通入第一气体，所述第一气体包括：H22和CHyFz，0≤y≤3,0z≤4；CHyFz与H22的流量比为3：1～1：3；第一气体与图形层顶部发生形成硬化层；形成硬化层后，以图形层和硬化层为掩膜，通入第二气体，刻蚀待刻蚀层，直至暴露出基底的顶部表面，在待刻蚀层内形成凹槽。本发明通过硬化层对图形层进行保护，提高待刻蚀层对图形层的选择比，确保在深刻蚀时掩膜能够有效掩蔽，满足刻蚀要求。
本发明授权形成半导体器件结构的刻蚀方法及半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件结构的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底上设有待刻蚀层，所述待刻蚀层上设有图案化后的图形层，所述待刻蚀层的厚度与图形层的厚度比大于5；所述图形层为光刻胶层；所述待刻蚀层的材料包括：二氧化硅、氮化硅或多晶硅； 向图形层的表面通入第一气体，所述第一气体包括：H2和CHyFz，0≤y≤3,0z≤4；CHyFz与H2的流量比为3：1～1：3；所述第一气体与图形层顶部发生反应形成硬化层； 形成所述硬化层后，以所述图形层和硬化层为掩膜，通入第二气体，刻蚀所述的待刻蚀层，直至暴露出基底的顶部表面，在所述待刻蚀层内形成凹槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励